مدونة المستكشف - اخر الاخبار التقنية بين يدك مدونة المستكشف - اخر الاخبار التقنية بين يدك
random

آخر الأخبار

random
random
جاري التحميل ...

سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر

سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر

هذا الموضوع سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ظهر على التقنية بلا حدود.

بدأت سامسونج الآن بعمليات الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي DDR4 فئة 8 جيجابت بتقنية 10 نانومتر، والتي سوف تكون الأساس لذاكرة الوصول العشوائي DDR4 الخاصة بها في المستقبل.

Samsung starts mass producing second-gen 10nm RAM

الجيل الجديد من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ستكون 10٪ أسرع و15٪ أكثر كفاءة عن سابقتها.

ذاكرة 8Gb DDR4 الجديدة يمكنها القيام بعمليات تصل إلى 3،600 ميجا بت في الثانية مقارنة مع 3،200 ميجا بت في الثانية في الجيل السابق.

كل هذا يعني أن سامسونج لديها قاعدة أفضل سوف تبدأ بها قريبًا إنتاج ذاكرة وصول عشوائي أسرع لاستخدامها في الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة وأجهزة الكمبيوتر، والساعات الذكية وجميع أنواع الأجهزة الذكية.

المصدر

هذا الموضوع سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ظهر على التقنية بلا حدود.



المصدر | https://www.unlimit-tech.com مدونة المستكشف - Bh4b.com

عن الكاتب

Shawqi Al-Aghbari

التعليقات


اتصل بنا

إذا أعجبك محتوى مدونتنا نتمنى البقاء على تواصل دائم ، فقط قم بإدخال بريدك الإلكتروني للإشتراك في بريد المدونة السريع ليصلك جديد المدونة أولاً بأول ، كما يمكنك إرسال رساله بالضغط على الزر المجاور ...

جميع الحقوق محفوظة

مدونة المستكشف - اخر الاخبار التقنية بين يدك